今天是:
科研成果
新型非极化LED材料和器件
发布时间:2009-7-21 浏览次数:7180

    半导体技术已经改变了世界,半导体照叫技术将再一次改变我们的世界。随着半导体照明光源在城市景观、商业大屏幕、交通信号灯、手机及PDA背光源等特殊照叫领域的应用,以其饱满色光、无限混色、迅速切换、耐震、耐潮、冷温、超长寿、少维修优势,半导体光源已成为全球最热门、最瞩目的光源,特别是LED的发光效率正在大幅度提高,半导体照明被认为是2l世纪最有可能进入普通照明领域的一种新型固态冷光源和最具发展前景的高技术领域之一。
    南京大学物理系通过承担国家“863”计划的研究,已经掌握一种新型非极性LED材料生长和器件制作技术。用MOCVD方法在Y—LiAl02衬底上生长M面GaN和非极化GaN/TnGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法在Y-LiAl02衬底上制备非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯,分别实现非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯的蓝色、绿色电致发光,LED结构材料的室温光致发光谱显示波长分别为 363 nm(FWHM:20 nm)、414 nm(FWHM:68 nm)、519 nm(FWHM:70 nm)的发光峰,LED管芯的室温电致发光谱显示波长为522 nm(正向偏压:10 V,电流:70 mA)的发光峰。


返回  
南京大学常州高新技术研究院 版权所有 CopyRight 2009 © All Rights Reserved 苏ICP备07503876号 技术支持:常州创联网络[管理中心]