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科研成果
超大规模集成电路用超低介电薄膜
发布时间:2009-7-21 浏览次数:7163

    随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统Si02以及其他现有低介电薄膜,可十分有效地减少发热和延迟。  我校研究人员已获得低于2.0的超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料,优点显著:
1、介电常数低与2.0;
2、薄膜中的纳米微孔分布均匀;
3、薄膜中的微孔大小尺寸可调;
4、薄膜的刚性、柔性可调控; 
5、薄膜电学性质稳定;
6、与硅片的粘附性好。
国内处于领先位置,和国外报道的相近,有较好的发展前景。  (专利申请号:00410044831.5    200510037695.1)。


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